Module IGBT GD150HFY120C1S

Thông số kỹ thuật:

• Half Brigde
• Transistor Polarity: Dual N Channel
• DC Collector Current: 230A
• Emitter Voltage: 2V
• Power Dissipation Pd: 746W
• Collector Emitter Voltage V(br) ceo: 1.2KV
• Working Temperature Max: 150°C 
• No. Pin: 7
• IGBT Technology: Trench Field Stop
• IGBT Termination: Stud
• Case Type: Module

Nhà sản xuất: StarPower

Liên hệ tư vấn và đặt hàng (24/7)

Công ty TNHH LECI
Phòng 1901, Tòa nhà Saigon Trade Center, Số 37 Tôn Đức Thắng, Phường Bến Nghé, Quận 1, Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam
Phone: 02822202988
Hotline: (+84) 0938746286 (Zalo, Whatsapp)
Website: www.lecitubes.com