GD150HFY120C1S
Module IGBT GD150HFY120C1S
Thông số kỹ thuật:
- Half Brigde
- Transistor Polarity: Dual N Channel
- DC Collector Current: 230A
- Emitter Voltage: 2V
- Power Dissipation Pd: 746W
- Collector Emitter...
Các sản phẩm được tặng kèm
Chọn 1 trong các loại quà tặng
Liên hệ để biết giá
Tình trạng:
Còn hàng
Thương hiệu:
China